[发明专利]闪存的数据保持力测试方法有效

专利信息
申请号: 202011463234.1 申请日: 2020-12-14
公开(公告)号: CN112652352B 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 吴志涛;徐杰;李小康;张家瑞 申请(专利权)人: 华虹半导体(无锡)有限公司
主分类号: G11C29/50 分类号: G11C29/50
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种闪存的数据保持力测试方法,包括:步骤一、选定多个存储单元并进行弱编程;步骤二、测量各存储单元的第一单元电流,第一单元电流具有分散性;步骤三、对所述存储单元进行用于性能退化的应力作用;步骤四、测量经过应力作用的各存储单元的第二单元电流;步骤五、计算各存储单元对应的第二单元电流和第一单元电流的差值并作为单元电流增加值;步骤六、进行以第一单元电流为X值和以单元电流增加值为Y值的曲线拟合并将拟合结果作为编程数据保持力的测试结果。本发明能实现对强编程的闪存数据保持力进行灵敏检测。
搜索关键词: 闪存 数据 保持 测试 方法
【主权项】:
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