[发明专利]一种新型多层红外探测器及制备方法在审
申请号: | 202011464304.5 | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN112563292A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 康晓旭;陈寿面;钟晓兰 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L27/146;H01L31/09 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;尹一凡 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于半导体的技术领域,公开了一种新型多层红外探测器,包括设置在带读取电路的衬底上的多层阵列排布的像元集合,每个像元均包括含微桥桥面、梁结构、支撑及电连接孔在内的微桥谐振腔结构,相邻两层的像元集合中对应的高层像元与低层像元均相互错开排布,且高层像元中微桥桥面的投影面与低层像元中的梁结构、支撑及电连接孔、相邻像元的间隙的投影面重叠。本发明的多层红外探测器借助错开排布,使高层像元中微桥桥面将低层像元中微桥的梁结构、支撑及电连接孔、相邻像元的间隙覆盖,增加了对红外线的吸收面积,提高红外吸收效率,并在成本可控的前提下提升了产品性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 多层 红外探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的