[发明专利]被加工物的加工方法在审
申请号: | 202011465705.2 | 申请日: | 2020-12-14 |
公开(公告)号: | CN113097063A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 饭塚健太吕 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/308 | 分类号: | H01L21/308;H01L21/3065;H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供被加工物的加工方法,在对正面侧形成有凸块的晶片实施等离子蚀刻的情况下利用树脂膜覆盖晶片的整个正面。该方法具有:保持工序,以与被提供具有流动性的固化性树脂的台的上表面侧相对的方式使被加工物的正面朝下而对被加工物进行保持;覆盖工序,使被加工物向下方移动而将被加工物的正面侧按压于硬化性树脂,从而以硬化性树脂进入凸块与正面之间的间隙中并且凸块埋入硬化性树脂的方式利用硬化性树脂覆盖被加工物的整个正面;硬化工序,使硬化性树脂硬化而形成树脂膜;激光束照射工序,去除各分割预定线上的树脂膜;和分割工序,向被加工物提供等离子化的气体,将树脂膜作为掩模而沿着各分割预定线将被加工物分割成各个器件芯片。 | ||
搜索关键词: | 加工 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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