[发明专利]存储单元及其制造方法、3D NAND存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种存储单元及其制造方法、3D NAND存储器及其制造方法，在堆叠结构中形成栅线缝隙，通过该栅线缝隙去除堆叠结构中的部分牺牲层，保留在第一方向上具有一定宽度的牺牲层，由这些保留的牺牲层及其对应的堆叠的绝缘层形成存储区块之间的隔离结构。保留的底部牺牲层，增加了对堆叠结构的支撑，增加了结构的稳定性，提高了后续产品的良率。本发明存储单元的存储块能够做得更小，增加了单位面积的存储容量。整个制程中，热过程减少，减少了衬底的翘曲，提高了成膜质量。基于上述存储单元形成3D NAND存储器时，存储单元衬底中阱区的拾取以及外接焊盘的形成可以有多种方式，增加了器件设计的灵活性。