[发明专利]基于网格化结构电极提高金刚石异质外延形核均匀性的方法有效
| 申请号： | 202011466532.6 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112695382B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 代兵;王伟华;房诗舒;朱嘉琦;舒国阳;韩杰才 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B25/18;C30B29/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 基于网格化结构电极提高金刚石异质外延生长均匀性的方法，本发明属于化学气相沉积法异质外延单晶金刚石领域，它为了解决金刚石大面积外延生长均匀性差的问题。一、衬底位于样品台的中心处，将网格化电极放置在腔体底座上；二、设备抽真空；三、升温过程；四、开启直流偏压电源，进行偏压增强形核；五、降低甲烷浓度，开始进行金刚石外延生长；六、外延金刚石膜光刻图形化加工与生长。本发明在偏压增强形核过程中，通过网格化结构Mo电极能够促使等离子体聚集于网状结构Mo电极表面，等离子体内部的正离子在复合衬底上方聚集形成辉光层，辉光层的均匀性提高也使得金刚石外延形核的均匀性得以提高。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 网格 结构 电极 提高 金刚石 外延 均匀 方法 | ||
【主权项】：
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