[发明专利]一种肖特基二极管及弱能量收集用整流电路在审
| 申请号： | 202011467434.4 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112635576A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 左瑜 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/165;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种肖特基二极管及弱能量收集用整流电路，肖特基二极管二极管包括：110晶向Si衬底(001)；第一Ge层(002)设置于衬底Si(001)上表面；第二Ge层(003)设置于第一Ge层(002)上表面；SiGe层(004)设置于第二Ge层(003)上表面第一区域内；第一电极(005)设置于SiGe层(004)上表面；第二电极(006)设置于第二Ge层(003)上表面第二区域内。本发明将Si元素合金化引入Ge半导体中与金属W形成金半接触可以降低SBD开启电压，选用110晶向Ge并在Ge虚衬底上制备Si |
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| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 能量 收集 整流 电路 | ||
【主权项】：
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