[发明专利]一种复合半导体肖特基二极管及整流电路在审
| 申请号： | 202011467442.9 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112563335A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 左瑜 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/165;H01L29/47;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种复合半导体肖特基二极管及整流电路，肖特基二极管包括：[100]晶向GeOI衬底；复合层，复合层为在GeOI衬底顶层Ge的上表面先生长Pb层，然后对Pb层及其下部的顶层Ge激光再晶化后形成；Al电极，设置于复合层上表面的第一区域；Ti电极，设置于复合层上表面的第二区域。本发明的肖特基二极管通过Pb合金化致晶向消除技术，相比于纯Ge半导体，得到的GePb合金半导体的电子迁移率得到极大提升，因此能够降低串联电阻，提高整流效率；并且，采用金属钛制备肖特基接触区域的电极，使用[100]晶向的GePb材料，整体上能够增大SBD的零偏电流响应度，提高弱能量密度下SBD的整流效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 半导体 肖特基 二极管 整流 电路 | ||
【主权项】：
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