[发明专利]一种基于有机场效应晶体管的二氧化硫传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011468474.0 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112531114A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 于军胜;范惠东;李嘉文;钟建 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/30 | 分类号： | H01L51/30;H01L51/40;G01N27/414 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 梁伟东 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的二氧化硫传感器及其制备方法，属于二氧化硫传感器领域，包括从下到上依次设置的衬底、栅电极、栅极绝缘层和有机半导体层，所述有机半导体层上设置有源电极和漏电极，所述有机半导体层为可溶性的有机半导体材料，在有机半导体层加入质量分数为5％～10％的花青素以及12％～17％的辅酶Q10；利用花青素和辅酶Q10的抗氧化性，增强了器件在空气中的稳定性，寿命更长，同时，花青素和辅酶Q10都具有极强的还原性，能够解决二氧化硫难以探测的问题，此外，花青素和辅酶Q10的引入，增加了待测二氧化硫分子与半导体分子的电荷交换，实现有机场效应晶体管二氧化硫传感器对二氧化硫精确监测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 有机 场效应 晶体管 二氧化硫 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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