[发明专利]一种可用于光电子器件散热的高耐热结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011470393.4 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112599422A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 周殿力;杨根杰;吴梦鸽;于军胜 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/373;H05K7/20 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 梁伟东 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可用于光电子器件散热的高耐热结构及其制备方法，属于耐热材料领域，高耐热结构，其特征在于，从下到上依次为附着面和薄膜结构，所述薄膜结构从下到上依次为吸热剂、中间连接剂、耐热剂和保护剂；所述薄膜结构以质量成分计，分别为，吸热剂35～45％、中间连接剂10～20％、耐热剂30～50％、保护剂5％；其制备方法是先对散热器或基底表面进行清洗，然后依次喷涂吸热剂，中间连接剂，烘干后再依次喷涂耐热剂和保护剂，最后烘干即可，通过本发明可以解决高温环境下工作的设备，由于外界温度本身高于设备温度，普通散热的方法对此类设备并不管用的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 光电子 器件 散热 耐热 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011470393.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
