[发明专利]一种GaN HEMT器件应用于高频电路中的俘获效应消除方法有效
| 申请号： | 202011470986.0 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112491403B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 雷建明 | 申请（专利权）人： | 南京工业职业技术大学 |
| 主分类号： | H03K7/08 | 分类号： | H03K7/08;H01L29/778;H01L29/20 |
| 代理公司： | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人： | 项磊 |
| 地址： | 210001 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种GaN HEMT器件应用于高频电路中的俘获效应消除方法，涉及氮化镓基第三代宽禁带半导体领域，首次提出在后端高频电路应用中来实现，解决目前在前端外延和器件设计中无法实现消除俘获效应的难题。该方法采用新型的拓扑电路控制方式，控制方式的核心是采用分频工作模式与平均输出控制技术。该控制方式充分利用GaN HEMT器件的高频工作优势，通过减小器件单次关断时间，使其小于器件中电子俘获所需的时间，实现消除器件的俘获效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 应用于 高频 电路 中的 俘获 效应 消除 方法 | ||
【主权项】：
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