[发明专利]晶圆键合方法及键合晶圆在审
| 申请号： | 202011471584.2 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112614807A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 王超;刘婧;黄驰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 刘恋;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例公开了一种晶圆键合方法及键合晶圆，所述方法包括：在第一衬底的表面的第一绝缘层，形成第一导电柱；形成覆盖第一导电柱的导电的第一连接层；其中，第一连接层的晶粒尺寸小于第一导电柱的晶粒尺寸；在第二衬底的表面的第二绝缘层中，形成第二导电柱；形成覆盖第二导电柱的导电的第二连接层；其中，第二连接层的晶粒尺寸小于第二导电柱的晶粒尺寸；键合第一连接层和第二连接层，形成第一晶粒融合层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 方法 键合晶圆 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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