[发明专利]一种低中压台面TVS产品的PN结钝化工艺在审
| 申请号： | 202011473058.X | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112582480A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 崔丹丹;裘立强;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州杰利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 葛军 |
| 地址： | 225008 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种低中压台面TVS芯片的PN结钝化工艺。提供了一种生产成本低，有效提升TVS产品耐压能力及可靠性的低中压台面TVS芯片的PN结钝化工艺。包括以下步骤：S1、扩散；在晶片表面沉积一层磷和硼，形成P+‑N‑N+结构；S2、选择性光刻；将晶片区域化成晶粒，并在晶粒表面将待蚀刻的区域暴露出来，其它区域用光阻剂保护；S3、沟槽蚀刻；对晶粒表面暴露出来的区域进行蚀刻；S4、SIPOS膜；S5、绝缘钝化；在SIPOS膜表面形成一层致密的SIO2膜；S6、电极面氧化膜去除；S7、金属化：在晶片表面镀一层电极金属，加工完毕。本发明在工作中，将SIPOS膜钝化与SiO2膜钝化结合，在SIPOS膜沉积后，利用LPCVD在其表面继续生长一层致密的SiO2膜，提升了产品能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压台 tvs 产品 pn 钝化 工艺 | ||
【主权项】：
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