[发明专利]阈值电压的测量方法以及晶圆测试机台在审

专利信息
申请号: 202011473363.9 申请日: 2020-12-15
公开(公告)号: CN112666440A 公开(公告)日: 2021-04-16
发明(设计)人: 陈静;葛浩;吕迎欢;谢甜甜;王青 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海华力微电子有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R19/00
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种阈值电压的测量方法,包括如下步骤:在晶体管的栅极施加电压Vth0,源极与漏极之间施加一预设电压Vsd;测定源漏之间初始电流Id0;在所述晶体管的栅极均叠加电压偏移Vdelta1;再次测定源漏之间的电流Id1;评估|Id1‑Icon|是否小于一预设误差值,所述Icon为恒定的归一化电流,若小于则记录Vth0‑Vdelta1为该晶体管的阈值电压,若大于,则再次在第二晶体管的栅极均叠加电压偏移Vdelta2,所述Vdelta2的数值与Id1‑Icon呈一致性正相关。本发明考虑到测试获得的电流与归一化电流的数值关系,测试电流与归一化电流的差越大,则后续叠加的电压偏移就越大,两者呈一致性正相关,以使测试能够更迅速的逼近真实的阈值电压,提高了测试效率,有效降低相关测试时间。
搜索关键词: 阈值 电压 测量方法 以及 测试 机台
【主权项】:
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