[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，先形成沿第一横向延伸的多组底部矩形环和多条第一底部沟槽，以及位于连接区的第一区间凹槽，再在所述第一底部沟槽和第一区间凹槽中填充隔热材料，然后去除位于所述第一区间凹槽中的所述隔热材料并同时形成多条底部位线。接着在第一存储堆叠列上方形成沿所述第二横向延伸的多组中间矩形环和第二底部沟槽，再在所述第二底部沟槽和所述第一区间凹槽中填充隔热材料，最后去除位于所述第一区间凹槽中的所述隔热材料并同时形成多条中间字线。由此隔热材料只形成在存储区的存储单元之间，可以避免现有的形成工艺中隔热材料形成在连接区而导致隔热材料脱落的风险，进而可以提高半导体器件的整体稳定性。