[发明专利]一种基于赝火花脉冲放电电子束进行薄膜沉积装置在审
| 申请号： | 202011475193.8 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112626466A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 傅宇蕾;胡静;赵万生;耿海峰;彭福军 | 申请（专利权）人： | 上海宇航系统工程研究所 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/54 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 任林冲 |
| 地址： | 201108 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于赝火花脉冲放电电子束进行薄膜沉积装置，包括试验腔体、赝火花放电腔体体及配套电路、抽真空装置、赝火花放电电子束、工作气体及气压控制装置、薄膜沉积靶材及移动平台、衬底加热及移动平台、电子束束流强度控制及测量装置，试验腔体为封闭腔体，其内包含赝火花放电电子束、薄膜沉积靶材及移动平台、衬底加热及移动平台和电子束束流强度控制及测量装置，赝火花放电电子束作为赝火花脉冲放电电子束进行薄膜沉积能量源。本发明是一种高效率、低成本、成膜表面质量好、脉冲参数可控性高的低温镀膜装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 火花 脉冲 放电 电子束 进行 薄膜 沉积 装置 | ||
【主权项】：
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