[发明专利]功率芯片散热封装结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202011476154.X 申请日: 2020-12-15
公开(公告)号: CN112614814B 公开(公告)日: 2022-06-28
发明(设计)人: 丁才华;曹立强;王启东;丁飞 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/31
代理公司: 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 代理人: 张东梅
地址: 214028 江苏省无锡市新区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种功率芯片散热封装结构及其制作方法,包括:功率芯片封装模块,被配置为容置功率芯片及散热封装模块;PCB母板,被配置为承载一个或多个功率芯片封装模块;隔热封装模块,被配置为连接在功率芯片封装模块和PCB母板之间,切断功率芯片封装模块和PCB母板的热传导路径;所述散热封装模块被布置在功率芯片封装模块相背于PCB母板的一侧,将功率芯片封装模块的热量传导至其他结构或空间中。
搜索关键词: 功率 芯片 散热 封装 结构 及其 制作方法
【主权项】:
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