[发明专利]功率芯片散热封装结构及其制作方法有效
申请号: | 202011476154.X | 申请日: | 2020-12-15 |
公开(公告)号: | CN112614814B | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 丁才华;曹立强;王启东;丁飞 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/31 |
代理公司: | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 张东梅 |
地址: | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种功率芯片散热封装结构及其制作方法,包括:功率芯片封装模块,被配置为容置功率芯片及散热封装模块;PCB母板,被配置为承载一个或多个功率芯片封装模块;隔热封装模块,被配置为连接在功率芯片封装模块和PCB母板之间,切断功率芯片封装模块和PCB母板的热传导路径;所述散热封装模块被布置在功率芯片封装模块相背于PCB母板的一侧,将功率芯片封装模块的热量传导至其他结构或空间中。 | ||
搜索关键词: | 功率 芯片 散热 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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