[发明专利]半导体结构的量测装置及其量测方法有效
| 申请号： | 202011476373.8 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112599437B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 罗少愿;蒋鹏 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的量测装置及其量测方法。所述半导体结构的量测方法包括如下步骤：提供一参考区域，所述参考区域的表面平整度小于或者等于一量测装置自身的背景平整度；采用所述量测装置量测所述参考区域的形貌，获取参考量测结果；采用所述量测装置量测一待测晶圆中一图案区域的形貌，获取初始量测结果；自所述初始量测结果中移除所述参考量测结果，获取所述图案区域的校准量测结果。本发明能够有效的消除量测装置本身的背景平整度对待测晶圆中图案区域量测结果的影响，实现了对待测晶圆量测结果准确度的提高，有助于改善半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011476373.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示装置及传感器装置
- 下一篇：薄膜晶体管及其制造方法、显示面板和显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
