[发明专利]SiC半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011477921.9 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112599588B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈小建 | 申请（专利权）人： | 陈小建 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/16 |
| 代理公司： | 西安乾方知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61259 | 代理人： | 胡思棉 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC半导体器件及其制备方法，该器件包括衬基、第一缓冲层、漂移层、外延层、漏栅源区、第二缓冲层、耐压层及贯通区于外延区的贯通区，通过增加同材料的垫底及外延层的氧化层，可隔离与保护衬底或外延层，并减少衬垫氧化层出现潜在缺陷的概率，降低后续沟槽结构出现损伤的风险；引入双层缓冲层，避免两层材料之间可能存在晶格失配，实现应力释放与位错过滤，减小研磨可能造成应力而使得器件层结构损坏的问题，使器件结构更加稳定，提高了系统稳定性；引入大小不同的源极区，可适用于不同的载流子大小需求；引入浅沟槽隔离结构将耐压层分为高耐压器件区与非高耐压器件区，可适用于高压或低压不同应用环境中。 | ||
| 搜索关键词： | sic 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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