[发明专利]一种湿法刻蚀制备硅基OLED阳极的方法在审

专利信息
申请号: 202011478747.X 申请日: 2020-12-16
公开(公告)号: CN112289965A 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 杨震元;孙扬;吴康敬 申请(专利权)人: 浙江宏禧科技有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/00;H01L51/52
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人: 金丽英
地址: 322000 浙江省金华市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开一种湿法刻蚀工艺制备硅基OLED阳极的方法,包括以下步骤:用去离子水清洗硅基板,在硅基板上蒸镀阳极层,在阳极层上形成抗反射涂层和光刻胶层,用光刻技术制备出图形像素,采用腐蚀溶液腐蚀底部不被抗反射涂层和光刻胶层保护的阳极层,用N‑甲基吡咯烷酮溶液去除抗反射涂层和光刻胶层,形成阳极像素点,对硅基板进行清洗、烘干。本发明针对以硅片为衬底的微型OLED显示器,使用湿法刻蚀工艺代替传统湿法剥离方法制备阳极像素点,使子像素间距更小,像素密度高,从而在0.6英寸的微型OLED显示器上实现分辨率为1280*1024的微型全彩有机显示器,相比于干法刻蚀工艺,湿法刻蚀工艺的成本更低,易实现量产。
搜索关键词: 一种 湿法 刻蚀 制备 oled 阳极 方法
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