[发明专利]金属钴互连层和钨金属接触孔层的形成方法在审
| 申请号： | 202011479348.5 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112635396A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 张文广;朱建军 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金属钴互连层和钨金属接触孔层的形成方法，包括提供一含有金属钴互连线层结构的衬底，在衬底上形成介质层；对介质层进行光刻刻蚀工艺，形成金属钨通孔层；利用湿法刻蚀工艺向下刻蚀位于金属钴互连线层结构表面的部分金属钴，在金属钨通孔层中的通孔底部形成铆钉状形貌；用选择性钨沉积工艺填充金属钨通孔层中的通孔，形成底部铆钉状的钨通孔；依次沉积TiN粘附层和金属钨层，在通孔层形成通孔钨塞覆盖层；对金属钨通孔层进行钨化学机械平坦化，去除通孔钨塞覆盖层，以形成平坦化的所述通孔层。本发明利用湿法工艺各向同性特点，在通孔底部形成铆钉状的钨来阻挡CMP研磨液渗透的方法，解决了7nm及以下节点钴缺失的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 接触 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011479348.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种三维复合析氢材料的制备方法
- 下一篇：一种高阻隔聚乳酸薄膜及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
