[发明专利]一种高介电常数低介电损耗钛酸铜钙陶瓷的烧结方法有效

专利信息
申请号: 202011479426.1 申请日: 2020-12-15
公开(公告)号: CN112592192B 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 李旺;唐鹿 申请(专利权)人: 江西科技学院
主分类号: C04B35/64 分类号: C04B35/64;C04B35/462
代理公司: 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 代理人: 宫建华
地址: 330000*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种钛酸铜钙(CaCu3Ti4O12,简称CCTO)陶瓷的制备方法,用以解决现有技术制备CCTO陶瓷时介电损耗较高的技术问题。本发明的技术方案是:所述CCTO陶瓷坯体首先在烧结炉中经过升温阶段1、保温阶段1、升温阶段2、保温阶段2后得到高温陶瓷烧结体,然后所述高温陶瓷烧结体再经过富含氧气的混合气体气氛下的气相淬火冷却阶段后而最终完成CCTO陶瓷的烧成。本发明的技术方案操作工艺简单,工艺窗口宽,所得CCTO陶瓷的介电损耗低、介电常数的温度稳定性高。同时,本发明技术方案中CCTO坯体在烧成陶瓷过程中的降温冷却时间明显减小,显著缩短了CCTO陶瓷的烧成时间。
搜索关键词: 一种 介电常数 低介电 损耗 钛酸铜钙 陶瓷 烧结 方法
【主权项】:
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