[发明专利]一种相变存储器及其制作方法在审
| 申请号： | 202011479690.5 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112599667A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 杨红心;刘峻;杨海波 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张李静;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法。所述相变存储器包括：相变存储单元，包括：层叠设置的相变存储层和多个电极层；其中，所述相变存储层位于两个所述电极层之间；所述相变存储单元还包括：导电的粘接层，位于至少一个电极层和所述相变存储层之间，用于增大所述至少一个电极层与所述相变存储层之间的附着力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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