[发明专利]基于相变材料存储栅的无结硅纳米线晶体管及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于相变材料存储栅的无结硅纳米线晶体管，SOI衬底的顶层硅通过刻蚀形成纳米线结构、源区和漏区，纳米线结构表面覆盖有相变栅介质层，相变栅介质层上侧设置有第二绝缘栅介质层；第二绝缘栅介质层一端上侧设置有主栅电极，主栅电极通过第一接触孔与相变栅介质层连接，且主栅电极覆盖于纳米线上侧；第二绝缘栅介质层另一端上侧设置有副栅电极，副栅电极通过第二接触孔与相变栅介质层连接。本发明将相变材料作为栅介质制备在纳米线晶体管中，能够实现多值存储，同时可以作为电子突触器件应用于神经形态计算。此器件以无结硅纳米线晶体管为载体，具有与COMS工艺兼容，存储密度高，读写操作分离的优点。