[发明专利]一种具有电子注入层的深紫外发光二极管外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011479928.4 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112490336A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 寇建权 | 申请（专利权）人： | 天津赛米卡尔科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 天津创信方达专利代理事务所(普通合伙) 12247 | 代理人： | 李京京 |
| 地址： | 300385 天津市西青区西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明为一种具有电子注入层的深紫外发光二极管外延结构及其制备方法。该结构主体为沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体传输层、电子注入层、多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层和P‑型重掺杂半导体传输层。其中，电子注入层通过AIN组分和掺杂浓度来精确调控N‑型AlGaN层内极化电场和耗尽电场，从而降低电子注入有源区时的能量，提高量子阱对电子的捕获能力，使器件性能得到大幅提升，且材料生长难度低，可重复性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电子 注入 深紫 发光二极管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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