[发明专利]三维存储器的制备方法

摘要

本申请提供了三维存储器的制备方法，包括提供初始三维存储器，初始三维存储器包括衬底、覆盖衬底的堆栈结构、以及贯穿堆栈结构的NAND串，NAND串背离衬底的一侧具有凹槽。形成填充凹槽的第一插塞层、以及覆盖堆栈结构的第二插塞层。形成覆盖第二插塞层的第一保护层。去除部分第一保护层与部分堆栈结构以形成台阶结构。去除第一保护层。本申请在制备插塞层后，仍保留第二插塞层，随后在第二插塞层上形成第一保护层。在采用湿法蚀刻法去除第一保护层时，可避免第二插塞层与蚀刻液发生反应，防止第二插塞层被破坏。并且由于第二插塞层在湿法蚀刻时未被破坏，可进一步保护第二插塞层覆盖的三维存储器的结构，保证了三维存储器结构的完整性。