[发明专利]可变电阻式存储器装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202011481172.7 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN113078259A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 矢野胜 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;黄健 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有经改良的三维结构的可变电阻式存储器装置及其制造方法。本发明的可变电阻式存储器包括：多个柱，在基板的主面的垂直方向延伸；多个位线，在水平方向延伸；以及存储器单元，形成在多个柱与多个位线的交叉部；存储器单元包含形成在柱的外周的栅极绝缘膜、形成在栅极绝缘膜的外周并提供通道区域的半导体膜、及形成在半导体膜的外周的一部分的可变电阻元件。可变电阻元件的外周的电极区域与邻接的一对位线的一个连接，半导体膜与邻接的一对位线的另一个连接。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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