[发明专利]在栅极区域下方具有GaN沟道再生的增强型MISHEMT在审
| 申请号： | 202011483584.4 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN113078212A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | P·莫恩斯;P·范米尔贝克;A·巴纳尔吉;M·塔克 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了一种在栅极区域下方具有GaN沟道再生的增强型(E型)金属绝缘体半导体(MIS)高电子迁移率晶体管(HEMT)或EMISHEMT。在栅极区域下方具有GaN沟道再生的EMISHEMT为常关器件提供适当高且稳定的阈值电压，同时提供低栅极泄漏电流。沟道层提供2DEG和相关联的低导通电阻，同时沟道材料层延伸穿过蚀刻的凹陷部并进入该沟道层中并局部中断2DEG以实现常关操作。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 区域 下方 具有 gan 沟道 再生 增强 mishemt | ||
【主权项】：
暂无信息
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