[发明专利]一种光芯片辐射聚焦的设计制备方法及系统有效
申请号: | 202011484223.1 | 申请日: | 2020-12-15 |
公开(公告)号: | CN112415651B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 陈宏伟;符庭钊;杜振民 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G02B6/10 | 分类号: | G02B6/10;G02B6/12;G02B6/124 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 郭亮 |
地址: | 100084 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种光芯片辐射聚焦的设计制备方法及系统,该方法包括:在衬底的上表面沉淀预设厚度的包层材料,作为光波导的下包层;在所述下包层的上表面沉淀一层光波导材料,作为光波导层,所述光波导层包括有发射器结构,所述发射器结构包括直波导、弯曲波导和环形波导光栅;在包括有所述发射器结构的光波导层上沉淀一层包层材料,作为所述光波导层的上包层,得到具有光芯片辐射聚焦的发射器材。本发明实施例通过对光芯片内波导和发射器等结构进行设计,实现了光芯片辐射聚焦的效果,可以实现同一芯片不同层间或不同芯片之间的光聚焦互连,而且与传统COMS工艺兼容,制造简单且大规模加工生产成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 辐射 聚焦 设计 制备 方法 系统 | ||
【主权项】:
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