[发明专利]通用闪速存储存储器卡在审
| 申请号： | 202011485400.8 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN113011546A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李仁宰;金玟佑;高丞完 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06K19/077 | 分类号： | G06K19/077 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储器卡包括：布置在第一行中的第一地端子，其将地电压提供到至少一个非易失性存储器或者存储器控制器；布置在第二行中的通用闪速存储(UFS)端子，其包括提供第二电力的第一UFS端子、提供参考时钟信号的第二UFS端子和提供输入/输出数据到存储器控制器的路径的第三UFS端子；以及布置在第三行中的第一电力端子，其将第一电源电压(VCC)提供到至少一个非易失性存储器或者存储器控制器。存储器卡的大小由纳米用户识别模块(SIM)卡标准限定，第一地端子与纳米SIM卡标准的“C5”端子相对应，并且第一电力端子与纳米SIM卡标准的“C1”端子相对应。 | ||
| 搜索关键词： | 通用 存储 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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