[发明专利]一种基于金属-半导体复合结构的光催化材料及其制备方法与磁场辅助应用有效
| 申请号： | 202011485680.2 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN113145133B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 桑元华;高文强;王晓宁;崔超;赵晓蕾;张珊;王书华;王建军;刘宏 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | B01J27/04 | 分类号： | B01J27/04;B01J27/051;B01J35/00;C01B3/04 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于金属‑半导体复合结构的光催化材料及其制备方法与磁场辅助应用，本发明将不同形貌的金属(金(Au)纳米棒、纳米颗粒、银(Ag)纳米线、钼(Mo)纳米片等)与半导体光催化剂硫化镉纳米颗粒构建得到金属/半导体复合结构的光催化材料，该光催化材料通过外部磁场辅助，在磁场中通过切割磁感线在金属导体中产生感应电势，来促进半导体光生载流子的分离，提高半导体光催化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 半导体 复合 结构 光催化 材料 及其 制备 方法 磁场 辅助 应用 | ||
【主权项】：
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