[发明专利]合金纳米晶粒生长的模拟方法、装置、电子设备及介质在审
| 申请号： | 202011485958.6 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112464538A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 吴艳;熊锦林;陈继兵 | 申请（专利权）人： | 武汉轻工大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23;G06F30/25;G06F119/08 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 高爽 |
| 地址： | 430023 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种合金纳米晶粒生长的模拟方法、装置、电子设备及介质。该方法可以包括：设定初始微观结构，确定模拟的面积，模拟网格大小及模拟时间步长；通过相场法建立合金纳米晶粒生长模型；根据合金数据，分别确定再结晶前和再结晶后的自由能密度函数；将再结晶前和再结晶后的自由能密度函数分别带入合金纳米晶粒生长模型，分别模拟再结晶前的形变组织和再结晶后的合金纳米晶粒，模拟合金纳米晶粒生长。本发明通过再结晶方法获得纳米晶粒，使用连续相场模型，实现模拟真实时空下再结晶过程中纳米多晶合金晶粒生长的过程。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 纳米 晶粒 生长 模拟 方法 装置 电子设备 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉轻工大学，未经武汉轻工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011485958.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
