[发明专利]掩模版及其制备方法、光刻机

摘要

本发明提供了一种掩模版及其制备方法、光刻机。其中，所述掩模版包括衬底，所述衬底上依次形成有吸收层和硬掩模层，所述吸收层和所述硬掩模层内均形成有环状开口以暴露部分所述衬底，所述开口内填充有绝缘吸光材料，以在所述衬底上形成吸光的防静电环状结构。本发明提供的掩模版及其制备方法、光刻机通过在掩模版的防静电环状结构中填充绝缘的吸光材料，在防静电的同时吸收并隔绝到达所述防静电环状结构处的杂散光，以改善光刻机的漏光情况，同时减少半导体器件中不必要的特征尺寸差异，从而避免出现重影。