[发明专利]一种非晶包裹纳米晶双相高强高熵合金薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011487504.2 申请日: 2020-12-16
公开(公告)号: CN112662928A 公开(公告)日: 2021-04-16
发明(设计)人: 黄平;肖丽丽;王飞 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C22C30/00 分类号: C22C30/00;C23C14/35;C23C14/16
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 王艾华
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种非晶包裹纳米晶双相高强高熵合金薄膜及其制备方法。该高熵合金薄膜成分及其原子百分比如下:Cr:15‑20%、Mn:18‑24%、Fe:18‑22%、Co:17‑23%、Ni:16‑21%。通过间歇磁控溅射的方法得到非晶包裹纳米晶的双相高强高熵合金薄膜。该薄膜的晶体相晶粒尺寸小于10nm,非晶层厚度为1‑2nm。本发明实现了小晶粒尺寸高强度高熵合金薄膜的制备,解决了高熵合金薄膜在小晶粒尺寸下的材料软化问题,具有制备工艺简单、环境友好的特点。
搜索关键词: 一种 包裹 纳米 晶双相 高强 合金 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
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