[发明专利]一种低相移数控衰减器有效
| 申请号： | 202011487567.8 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112653423B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 康凯;冷斌;吴韵秋;赵晨曦;刘辉华;余益明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03H11/24 | 分类号： | H03H11/24 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于无线通信技术领域，涉及相控阵系统中的衰减器，具体提供一种新型低相移数控衰减器，用以解决现有衰减器存在的附加相移大的问题。本发明采用两级衰减单元的设计，即由小衰减单元1和大衰减单元2组成；对于小衰减单元，采用尾接式电容(C1、C2)的方法进行相位优化；对于大衰减单元，使用相位调整电容(C3、C4)以及相位平移补偿单元组成的相位补偿结构使其能够显著减小衰减态与参考态的相位误差；通过所述两种相位优化手段的结合，使得本发明低相移数控衰减器能够有效提高衰减器相移平坦度、并减小衰减器的附加相移，同时能够显著优化衰减器的相位误差，拓展带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相移 数控 衰减器 | ||
【主权项】：
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