[发明专利]一种锂电池极低电SoC芯片自保护方法及设备有效
| 申请号： | 202011487924.0 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112736301B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 珠海亿智电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M10/42 | 分类号： | H01M10/42;H01M10/48;G01R31/388 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 赵学超 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种锂电池极低电SoC芯片自保护方法和设备。其中的方法包括以下步骤：A、配置不上电阈值，并且通过ADC单元对所述电池的电压进行实时采样；B、确定电池电压低于所述的不上电阈值，使该ADC单元产生高有效的不上电信号到所述的SoC芯片，并禁止所述SoC芯片的电源使能控制IO输出高；C、确定电池电压达到所述的不上电阈值，ADC单元拉低所述的不上电信号，并允许连接至所述SoC芯片的电源使能控制IO输出高。其中的设备包括SoC芯片，该SoC芯片包括含有ADC单元的电源管理控制模块，该电源管理控制模块被配置执行上述方法。本发明的方法能够有效地保护SoC芯片避免在电池极低电量的供电状态下上电,保证SoC芯片安全可靠地在电池充足的情况下上电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锂电池 极低电 soc 芯片 保护 方法 设备 | ||
【主权项】：
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