[发明专利]一种数字掩膜投影光刻的多重曝光方法在审
| 申请号： | 202011488602.8 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112596347A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 赵圆圆;段宣明;陈经涛 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 张金福 |
| 地址： | 510632 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种数字掩膜投影光刻的多重曝光方法，包括以下步骤：将目标光刻版图的密集图案拆解为N个低密度稀疏光刻图案；利用空间光调制器对曝光光束进行空间像素化调制，生成N个低密度稀疏数字掩膜图案；衬底上涂覆有光刻胶，N个低密度稀疏数字掩膜图案经过投影物镜成像于光刻胶，并交替曝光N次；进行后处理，最终得到高密度纳米线阵列光刻图案。本发明通过交替曝光N次低密度稀疏图案(最小周期不小于λ/2)，将纳米线条的密度提高N倍，实现密集图案曝光(最小周期可小于λ/2)，显著提高了投影光刻分辨率。另外，由于空间光调制器的组件中像素间距固定不存在对准误差，因此无需实体掩模板的套刻对准的步骤，即可实现一次涂胶的多重曝光工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 数字 投影 光刻 多重 曝光 方法 | ||
【主权项】：
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