[发明专利]一种氟基SiC-CVD晶体与薄膜生长制程尾气FTrPSA全组分回收再利用方法有效
| 申请号： | 202011489037.7 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112777569B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 钟雨明;钟娅玲;汪兰海;陈运;唐金财;蔡跃明;蒋强 | 申请（专利权）人： | 四川天采科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B7/19 | 分类号： | C01B7/19;C01B33/107;C01B7/07;C07C7/04;C07C11/04;C07C9/08 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 轩勇丽 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种氟基SiC‑CVD晶体与薄膜生长制程尾气FTrPSA全组分回收再利用方法，涉及第三代半导体材料碳化硅(SiC)晶体及薄膜外延生长过程中的尾气中有效组分的回收以及返回到半导体制程循环使用的环保领域，采取氯硅烷喷淋吸收、C2+浅冷油吸收、氯硅烷中浅冷精馏与中温变压吸附浓缩之间的耦合与循环操作来分离和提纯所需的主要有效组分C2+、SiF |
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| 搜索关键词： | 一种 sic cvd 晶体 薄膜 生长 尾气 ftrpsa 组分 回收 再利用 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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