[发明专利]弛豫GAN/INGAN结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202011489674.4 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN113013304A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 卡罗尔·佩内尔;阿梅莉·迪赛涅 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 马芬;王琳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种弛豫GaN/InGaN结构及其制造方法，包括以下步骤：a)提供一种装置，包括：GaN/InGaN结构，其包括局部覆盖有InGaN台面(100)的导电掺杂的GaN层(204)，InGaN台面包括掺杂的InGaN层(101)和未掺杂或弱掺杂的InGaN层(102)，在InGaN台面(100)之间覆盖导电掺杂的GaN层(204)的电绝缘层(300)；b)将导电掺杂的GaN层(204)和对电极(500)电连接到电压或电流发生器；c)将装置和对电极(500)浸入电解液中；d)在导电掺杂的GaN层(204)和第二电极(500)之间施加电压或电流，以使掺杂的InGaN层(101)孔隙化；e)在InGaN台面(100)上外延形成InGaN层，从而获得弛豫的外延生长的InGaN层(400)。 | ||
| 搜索关键词： | 弛豫 gan ingan 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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