[发明专利]一种相变材料刻蚀方法及三维堆叠相变存储器在审
| 申请号： | 202011492835.5 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112599669A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 童浩;冯雅昆;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 尹丽媛;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体存储器工艺领域，具体涉及一种相变材料刻蚀方法及三维堆叠相变存储器，包括：由下往上制备依次层叠的相变材料层、硬掩模层和光刻胶层；其中相变材料层附着在基底表面，硬掩模层的材料为氮化物或氧化物；对光刻胶层进行光刻得到实际所需图形，以对硬掩模层进行刻蚀；确定相变材料刻蚀条件，对表面暴露出的相变材料层进行刻蚀，其中硬掩模层的厚度满足在刻蚀条件下能得到实际所需的相变材料刻蚀深宽比。本发明采用光刻胶以及硬掩模并依次层叠在相变材料层的上部且依次刻蚀，同时要求硬掩模层的厚度满足在相变材料刻蚀条件下能得到实际所需的相变材料刻蚀深宽比，可以克服传统相变材料刻蚀方法中刻蚀深宽比低的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 材料 刻蚀 方法 三维 堆叠 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011492835.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种转盘式表冠及智能手表
- 下一篇：一种电池板栅自动堆垛装置
