[发明专利]一种高质量薄膜铌酸锂微纳光栅的制备方法有效
| 申请号： | 202011492990.7 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112596160B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 周奉杰;钱广;顾晓文;唐杰 | 申请（专利权）人： | 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/138 | 分类号： | G02B6/138;G02B6/136;G02B6/132 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市秦淮区永*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高质量薄膜铌酸锂微纳光栅的制备方法，包括：对LNOI材料进行表面清洁；制备高精度的电子束标记；涂覆电子束正胶ZEP 520A，进行LNOI光栅图形以及电子束标记保护区域曝光；蒸发剥离Ni金属，作为光栅波导刻蚀掩膜；采用F基RIE干法刻蚀与NH |
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| 搜索关键词： | 一种 质量 薄膜 铌酸锂微纳 光栅 制备 方法 | ||
【主权项】：
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