[发明专利]一种基于3-噻吩乙酸界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202011493791.8 | 申请日: | 2020-12-16 |
公开(公告)号: | CN112635675A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 於黄忠;张健开 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学;华南协同创新研究院 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;江裕强 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于3‑噻吩乙酸界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该电池包括阴极基底、电子传输层、界面修饰层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和阳极电极。该方法包括:阴极基底上依次旋涂氧化锡电子传输层、界面修饰层、钙钛矿吸光层和空穴传输层,蒸镀阳极电极,得到该太阳能电池。3‑噻吩乙酸中的羧基可与氧化锡表面的羟基发生酯化反应形成键合作用,噻吩环中的S元素与钙钛矿中的Pb离子发生键合作用。3‑噻吩乙酸界面修饰层的加入降低了氧化锡电子传输层表面的功函数,使得氧化锡电子传输层与钙钛矿吸光层能级更匹配,有利于光生电子高效地收集。加入3‑噻吩乙酸界面修饰层后,提高了钙钛矿的结晶性,钙钛矿内部缺陷得到抑制。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 噻吩 乙酸 界面 修饰 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学;华南协同创新研究院,未经华南理工大学;华南协同创新研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011493791.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种制造麦草纸浆的工艺
- 下一篇:一种铜门表面处理设备及处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择