[发明专利]一种氮化镓单晶基片的氮极性表面的表面处理方法有效
| 申请号： | 202011493956.1 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112626622B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 徐耿钊;李忠念;陈晖;刘争晖;张春玉;陈科蓓;宋文涛;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C25F3/12;C30B29/40 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓单晶基片的氮极性表面的表面处理方法，表面处理方法包括：对氮化镓单晶基片的氮极性表面依序进行电化学腐蚀和化学腐蚀，或者对氮极性表面依序进行化学腐蚀和电化学腐蚀。采用本发明提供的表面处理方法来对氮化镓单晶基片的氮极性表面进行表面处理后，在该氮极性表面上能够获得具有原子级台阶高度和规则的六边形形状的台阶流表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓单晶基片 极性 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
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