[发明专利]一种大尺寸低应力单晶氮化物厚膜结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011495161.4 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112994646A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市艾佛光通科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H01L21/02;H03H3/02;H03H9/02 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 杨艳 |
| 地址： | 510700 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大尺寸低应力单晶氮化物厚膜结构，包括衬底，及生长在所述衬底上的单晶氮化物厚膜；所述衬底上刻蚀有沟道，所述沟道将所述衬底的表面分成多个不连续的区域；所述沟道的深度大于所述单晶氮化物厚膜的厚度。本发明在沟道处理后的衬底上生长的单晶氮化物膜具有尺寸大、膜厚度大，同时应力低、不卷曲、无裂纹的特点。本发明还公开了一种上述大尺寸低应力单晶氮化物厚膜结构的制备方法，对大尺寸衬底进行了沟道图形化，通过刻蚀沟道将衬底表面分割成多个独立的不连续的区域，再进行氮化物的生长，降低了大尺寸单晶氮化物在外延生长过程中的应力积累，解决了目前大尺寸单晶氮化物厚膜易卷曲、裂纹的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 应力 氮化物 膜结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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