[发明专利]一种MBIST电路系统有效

专利信息
申请号: 202011496194.0 申请日: 2020-12-17
公开(公告)号: CN112614534B 公开(公告)日: 2023-09-05
发明(设计)人: 李璋辉;何再生 申请(专利权)人: 珠海一微半导体股份有限公司
主分类号: G11C29/12 分类号: G11C29/12;G11C29/44
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 519000 广东省珠海*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种MBIST电路系统,该MBIST电路系统支持外部访问芯片内部的条件下,根据MBIST状态寄存器组配置的测试控制信息和MBIST时钟源产生模块提供的时钟源,控制每一个SRAM扫描测试模块按照匹配的测试时钟信号、特定的顺序对不同块SRAM进行MBIST测试,本发明还通过寄存器配置结构复用的方式,同步完成多块SRAM的测试,简化MBIST的逻辑架构,提高测试效率和测试复用的有效性。
搜索关键词: 一种 mbist 电路 系统
【主权项】:
暂无信息
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