[发明专利]一种可降低磁屏蔽耦合效应的偶极均匀磁场线圈设计方法有效
| 申请号： | 202011496787.7 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112711876B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 李佳佳;张燚;汪之国;罗晖;杨开勇 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23;H01F5/00;G06F17/15 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 谭武艺 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可降低磁屏蔽耦合效应的偶极均匀磁场线圈设计方法，包括确定偶极均匀磁场线圈的结构参数和性能需求，设置匝数和位置分布；利用磁屏蔽内线圈磁场理论优化偶极均匀磁场线圈的结构参数，仿真计算偶极均匀磁场线圈的性能；判断偶极均匀磁场线圈的性能是否满足性能需求，若不满足性能需求，则跳转修改线圈环数和匝数分布直至得到最优的结构参数。本发明在磁屏蔽内使用能有效减小线圈与磁屏蔽耦合效应，能够避免实际磁屏蔽非理想情况对线圈磁场均匀性的影响，有利于弱磁条件下的新型量子器件的研制，与现有无矩均匀磁场线圈相比具有单层结构，结构简单，加工容易，空间利用率高等优势，且能充分利用磁屏蔽内部空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 屏蔽 耦合 效应 均匀 磁场 线圈 设计 方法 | ||
【主权项】：
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