[发明专利]一种二氧化硅薄膜及其低温制备方法有效
| 申请号： | 202011497333.1 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112760615B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 周璐;王鹏;龙俊舟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/50;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种二氧化硅薄膜及其低温制备方法。所述制备方法包括：提供衬底，并将所述衬底置入反应腔室内，向所述反应腔室内通入反应气体，所述反应气体包括硅源和氧源；所述反应腔室的压力为2000mTorr～3000mTorr，所述硅源的通入量为100sccm～1000sccm，所述氧源的通入量为4000sccm～10000sccm，沉积温度为150℃≤t＜250℃，沉积速率为 |
||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 薄膜 及其 低温 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011497333.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于桩基的水磨钻挖孔桩施工方法
- 下一篇：垃圾清扫车
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
