[发明专利]一种自对准低欧姆接触电阻GaN HEMT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011497971.3 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112885899A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 朱广润;张凯;周建军;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/28;H01L21/335;C23C16/04 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市秦淮区永*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种自对准超低欧姆接触电阻GaN HEMT器件及其制造方法，主要解决了超高频器件尺寸极限微缩条件下对栅源、栅漏间距的有效调制问题，并且具备较高的工艺稳定性，可以实现实验室外的生产制造；所述器件包括衬底、缓冲层、高掺杂n |
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| 搜索关键词： | 一种 对准 欧姆 接触 电阻 gan hemt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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