[发明专利]一种自对准低欧姆接触电阻GaN HEMT器件及其制造方法在审
申请号: | 202011497971.3 | 申请日: | 2020-12-17 |
公开(公告)号: | CN112885899A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 朱广润;张凯;周建军;陈堂胜 | 申请(专利权)人: | 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L29/47 | 分类号: | H01L29/47;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/28;H01L21/335;C23C16/04 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 陈鹏 |
地址: | 210000 江苏省南京市秦淮区永*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: |
本发明涉及一种自对准超低欧姆接触电阻GaN HEMT器件及其制造方法,主要解决了超高频器件尺寸极限微缩条件下对栅源、栅漏间距的有效调制问题,并且具备较高的工艺稳定性,可以实现实验室外的生产制造;所述器件包括衬底、缓冲层、高掺杂n |
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搜索关键词: | 一种 对准 欧姆 接触 电阻 gan hemt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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