[发明专利]一种自对准低欧姆接触电阻GaN HEMT器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202011497971.3 申请日: 2020-12-17
公开(公告)号: CN112885899A 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 朱广润;张凯;周建军;陈堂胜 申请(专利权)人: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
主分类号: H01L29/47 分类号: H01L29/47;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/28;H01L21/335;C23C16/04
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 陈鹏
地址: 210000 江苏省南京市秦淮区永*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种自对准超低欧姆接触电阻GaN HEMT器件及其制造方法,主要解决了超高频器件尺寸极限微缩条件下对栅源、栅漏间距的有效调制问题,并且具备较高的工艺稳定性,可以实现实验室外的生产制造;所述器件包括衬底、缓冲层、高掺杂n+‑GaN层、源极、势垒层、栅极、势垒金属层和漏极。所述器件基本制造流程为先制造出肖特基T型栅结构,利用所述T型栅结构的金属栅帽作为浮空掩膜,结合高各向异性刻蚀技术,实现对源漏区域的定义,进而实现可靠的短欧姆接触间距,有效降低GaN基器件沟道中载流子渡越时间带来的寄生延时,提升器件截止频率性能。
搜索关键词: 一种 对准 欧姆 接触 电阻 gan hemt 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
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