[发明专利]基于横向肖特基源隧穿结的全垂直场效应晶体管及方法在审
| 申请号： | 202011498785.1 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112614890A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 赵胜雷;宋秀峰;张进成;刘爽;刘志宏;张苇杭;王中旭;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于横向肖特基源隧穿结的全垂直场效应晶体管及方法，包括：衬底层(1)、n+缓冲层(2)、n‑漂移层(3)、栅介质层(4)、漏极(5)、栅极(6)、两个源极(7)、两个金属加厚层(8)。本发明中的器件本身为增强型，提高了器件对于噪声的抑制以及电路的安全性，同时增强型器件与现有的栅极驱动电路具有良好的兼容性。本发明可以成功避免宽禁带半导体材料存在的P型掺杂剂激活率低以及P型材料层欧姆接触实现困难等问题。本发明利用栅电压控制肖特基源极隧穿电流的大小，可以实现高电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 横向 肖特基源隧穿结 垂直 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
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