[发明专利]金属硬掩膜刻蚀方法在审
| 申请号： | 202011499448.4 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112687537A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张宇;黄亚辉;贺小明;刘钊成 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种金属硬掩膜刻蚀方法，在基片表面由下而上依次形成金属硬掩模层和多个功能膜层，该金属硬掩膜刻蚀方法包括：由上而下依次对多个功能膜层和金属硬掩膜层进行刻蚀的多个刻蚀工艺；在对应多个功能膜层的刻蚀工艺中，有至少一个指定的刻蚀工艺采用的刻蚀气体包括氢元素和氟元素，且氢元素与氟元素在刻蚀气体中的含量的比值小于预设阈值，以减少氟化氢副产物的生成。本发明实施例提供的金属硬掩膜刻蚀方法，其可以减少氟化氢副产物的形成，从而可以减少因腔室内表面材料损耗而产生的颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 硬掩膜 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011499448.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
