[发明专利]一种锗多结太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202011500335.1 | 申请日: | 2020-12-18 |
公开(公告)号: | CN114649437A | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 王俊;占荣;李华;王伟明 | 申请(专利权)人: | 江苏宜兴德融科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0687 | 分类号: | H01L31/0687;H01L31/0392;H01L31/0336;H01L31/18 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 杨娟奕 |
地址: | 214200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 公开了一种锗多结太阳能电池及其制造方法。所述锗多结太阳能电池包括:顺序层叠设置的Ge子电池、InGaAs子电池、InGaAsP子电池和InAlGaP子电池。本公开的锗多结太阳能电池及其制造方法,可以降低锗多结太阳能电池的制造成本,提高锗多结太阳能电池的光电转换效率,并实现锗多结太阳能电池的薄膜化和柔性化。 | ||
搜索关键词: | 一种 锗多结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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